mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
干法腐蚀:干法刻蚀是通过等离子气与硅片发生物理或化学反应(或结合物理、化学两种反应)的方式将表面材料去除。
那什么是等离子体呢?
等离子体是完全或部分电离的气体离子,包括相同数量的正负电荷和不同数量的未电离分子组成。当足够大的电场加于气体并使其击穿和电离时,硅孔材料刻蚀版厂家,就产生了等离子体。
等离子体由自由电子触发,这些自由电子可以由加负偏压的电极发射或由其他方法产生。自由电子从电场获得动能,在穿过气体的运动过程中与气体分子碰撞而损失能量。在碰撞中转移的能量使得气体分子电离,产生自由电子。这些自由电子又从电场中获得动能,以上过程不断持续。
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刻蚀的目的是把经---、显---光刻胶微图形中下层材料的部分去掉,即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向---的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,mems材料刻蚀版厂家,各个方向上的刻蚀速度不同,通常si3n4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,半导体材料刻蚀版厂家,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常sio2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,
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二氧化硅腐蚀后检查:
1、窗口内无残留sio2(去胶重新光刻);
2、窗口内无氧化物小岛(去胶重新光刻);
3、窗口边缘无过腐蚀(去胶重新光刻);
4、窗口内无染色现象(报废);
5、氧化膜无腐蚀(去胶重新光刻);
6、氧化膜无划伤等(去胶重新光刻)。
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