mems光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，安徽光刻芯片制作，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，器件光刻芯片制作，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
薄膜工艺就是指在半导体晶晶圆片上沉积各种材料，以实现不同电路功能或特性的过程。和前面几个工艺步骤是按工艺过程来命名不同，这一步骤命名方式是按材料的“状态”来命名的。这个命名甚至让人看起来有些费解，从示意图看，半导体器件看上去都是厚厚的一个个器件，哪来的薄膜？
其实为了理解方便，半导体器件结构在图示时经过了抽象和不等比例的放大，实际中半导体器件在晶圆片上非常薄的一层内实现。通常厚度在1微米以内。对于一个8英寸（200毫米）的晶圆片来说，1微米的厚度薄膜的制作，相当于在200米直径的操场上，均匀的堆积1毫米厚的沙子。这层薄膜非常的薄，但功能却非常---。各个半导体器件之间或是金属连接，或是电场联系，均需要用这些薄膜层实现。薄膜层实现了各器件间复杂贯穿的“阡陌交通”。正是因为这层结构非常的薄，于是就被称作“薄膜”工艺。这么薄的膜层不能通过机械方式来制造，于是，掺杂“沉积”（deition）工艺被发明出来。
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那么第三代半导体材料究竟是什么呢？
在国际上一般把禁带宽度（eg）大于或等于2.3 ev 的半导体材料称之为宽禁带半导体材料也称第三代半导体材料。
常见的第三代半导体材料包括：碳化硅（sic）、氮化镓（gan）、金刚石、氧化锌（zno）、氮化铝（aln）等。
代半导体材料以硅（si）为代表，经过长期的发展取代了笨重的电子管，从而推动了以集成电路为的微电子产品的迅猛发展；
第二代半导体材料则以镓（gaas）和锑化铟（insb）等为主，其中磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件，数字光刻芯片制作，而镓高速器件更开拓了光纤及移动通信新产业。
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有三种主要技术被用于在晶圆表面层产生独立层图形。它们是：
1. 在一块石英板上铬层的芯片专门层的图形。依此使用reticle来产生一个携带用以整个晶圆图形的光刻板。
2. reticle 可以使用步进光刻机，直接用于晶圆表面层的图形。
3. 在图形发生器中的电路层的信息可以直接用于引导电子束或其他源到晶片表面。
这里描述的十步基本图形化工艺在对准和---步骤使用光刻板。图形转移是通过两步来完成的。
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