材料刻蚀外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，生物芯片材料刻蚀外协，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
二氧化硅腐蚀机理为：
h2sif6（六）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用hf、nh4f与纯水按一定比例配成缓冲液。
由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，微流控材料刻蚀外协，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2xn003，2xn004，2xn013，2xp013等。但是由于基区的氧化层一般比发射区的厚，所以刻蚀时容易发生氧化区的侵蚀。
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业界有个简单的比喻：如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，氮化镓材料刻蚀外协，那么光刻机是打草稿的画笔，刻蚀机是雕刻刀，沉积的薄膜则是用来雕刻的基础材料。光刻的精度直接决定了电路的走向和尺寸，而刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工。所以师傅用刀刻掉不用的部分，雕成想要的图形，像芯片工艺流程中的刻蚀，今天主要为大家分享刻蚀工艺。
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刻蚀的定义与分类
如果说光刻是将图形转移到覆盖在半导体硅片表面的光刻胶上的过程。那么将图形再转移到光刻胶下面组成器件的各薄层上，我们称之为刻蚀，即选择性地刻蚀掉该薄层上未被掩蔽地部分。
刻蚀定义:用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的掩模图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受腐蚀源---的侵蚀。这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上特殊区域而选择性的刻蚀掉未被光刻胶保护的区域
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