光电器件真空镀膜——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
偏压电源:在多弧离子和磁控溅射镀膜技术中都要使用。只是由于磁控溅射的离化率远低于多弧离子镀,光电器件真空镀膜加工,所需偏压电源的功率更小。目前有许多设备既配备磁控溅射靶,也配有多弧靶,选择偏压电源功率时,要以多支工作时的要求来定。早期的偏压电压主要是用可控硅技术的直流偏压电源,现在多为采用高频逆变技术制造的单极性、直流叠加脉冲和双极性脉冲偏压电源。偏压电源主要用于多弧离子和磁控溅射镀膜过程中的辉光清洗、离子轰击和膜层沉积时在被镀工件上施加偏压,在辉光清洗时,它产生辉光;在离子轰击中用于加速离子,提高离子轰击工件表面进的能量,达到溅射清洗效果和提高膜层结合力的目的,在膜层沉积时,它也用于增加离子能量,促进和---薄膜生长,也会提高膜基结合力,
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真空镀膜设备镀膜技术有很多种,简单地来说就是在真空环境下,利用蒸发、溅射等方式发射出膜料粒子,沉积在金属、玻璃、陶瓷、半导体以及塑料件等物体上形成各种客户所需要的镀膜层。日常见的为真空蒸镀技术、溅射镀膜技术、离子镀膜技术等
真空蒸镀:其原理是在真空条件下,用蒸发器加热膜料,使其气化或升华,蒸发粒子流直接射向基片,并在基片上沉积形成固态薄膜的技术。蒸发同时也分电子束蒸发和电阻蒸发、感应蒸发等
溅射镀膜:是真空条件下,在阴极接上高压电,激发辉光放电,带正电的离子撞击阴极靶材,使其射出膜料粒子,并沉积到基片上形成膜层。
离子镀膜:离子镀膜通常指在镀膜过程中会产生大量离子的镀膜方法。在膜的形成过程中,基片始终受到高能粒子的轰击,膜层强度和结合力非常强。离子镀膜镀制高精密的膜层时,可以加过滤掉大颗粒的离子,这样能达到高结构,高致密性的膜层。
日常常见的就是这三种真空镀膜设备镀膜技术,具体选择那一种,要看是镀什么膜层,是镀什么工件等。
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由于气体压强与单位体积的分子数成正比, 因此平均自由程与气体的压强亦成正比。在真空淀积薄膜过程中,当淀积距离大于分子的平均自由程时被称为低真空淀积, 而当淀积距离小于分子的平均自由程时被称为高真空淀积。在高真空淀积时,山西光电器件真空镀膜,蒸发原子 ( 或分子 ) 与残余气体分子间的碰撞可以忽略不计,因此汽化原子是沿直线飞向基片的,这样保持较大动能到达基片的汽化原子即可以在基片上凝结成较牢固的膜层。在低真空淀积时,由于碰撞的结果会使汽化原子的速度和方向都发生变化,甚至可能在空间生成蒸汽原子集合体—其道理与水蒸汽在---中生成雾相似。
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