材料刻蚀厂商——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
化学蚀刻与物理蚀刻的不同之处在于,它利用等离子体内产生的反应物质与基板材料之间的化学反应。常见的化学蚀刻类型涉及卤化物化学,其中氯或氟原子是蚀刻过程中的活性剂。蚀刻工艺的代表性化学物质是使用 nf3进行硅蚀刻。此蚀刻过程中的化学反应顺序为:
nf 3 + e - *** ? nf 2 + f ? + e -si(s) +4f ? *** sif 4 ↑
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全i球半导体蚀刻设备市场:细分分析
全i球半导体蚀刻设备市场根据产品、应用和地理位置进行细分。
半导体蚀刻设备市场,按产品
? 湿法蚀刻设备
? 干法蚀刻设备
根据产品,市场分为湿蚀刻设备和干蚀刻设备。湿法蚀刻设备在 2020 年占据的市场份额,生物芯片材料刻蚀厂商,为 53.65%,市值为 48.8404 亿美元,预计在预测期内将以 6.02% 的复合年增长率增长。干法蚀刻设备是 2020 年的第二大市场,2020 年价值 42.1987 亿美元。
半导体蚀刻设备市场,按应用
? 逻辑和存储器
? 功率器件
? mems
? 其他
根据应用,市场分为逻辑和内存、功率器件、mems 等。逻辑和内存在 2020 年占据了 49.00% 的市场份额,市值为 44.6136 亿美元,预计在预测期内将以 6.02% 的复合年增长率增长。功率器件是 2020 年的第二大市场,2020 年价值 23.4854 亿美元。
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等离子体干法去胶:
用hdk-2型等离子刻蚀去胶机去胶,si材料刻蚀厂商,在去胶机内通入刻蚀气体o2。等离子体内的活化氧使有机物在(50—100)℃下很快氧化,生成co2、co、h2o等挥发性成份,从而达到去胶目的。
特殊胶(pi钝化产品、带胶注入产品):pi去胶时除了o2,再加适量的cf4,mems材料刻蚀厂商,如果去不干净再在等离子刻蚀机上用sf6处理。
一般在si3n4刻蚀后去胶用剥除,然后在等离子体去胶机中去胶丝,刻蚀后在显微镜下观察硅片表面是否有残丝。
去胶后检查:
1、有残胶——再去胶;
2、有残液——再清洗;
3、有残迹——用1号液清洗;
4、窗口有二氧化硅或铝残留。
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