mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
目前干法刻蚀市场占比90%，湿法刻蚀占比10%，湿法刻蚀一般适用于尺寸较大的情况下（大于3微米）以及用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。其余，生产中大部分采用干法刻蚀。
干法刻蚀与湿法腐蚀工艺利用药液处理的原理不同，干法刻蚀在刻蚀表面材料时，流道材料刻蚀外协，既存在化学反应又存在物理反应。因此在刻蚀特性上既表现出化学的等方性，又表现出物理的异方性。所谓等方性，安徽材料刻蚀外协，是指纵横两个方向上均存在刻蚀。而异方性，则指单一纵向上的刻蚀。
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磷酸约占80%，主要起腐蚀铝的作用，占1%-5%，其与铝反应生成溶于水的盐，氮化硅材料刻蚀外协，可以提高腐蚀速率，但含量过多会影响光刻胶抗蚀刻能力，---占10%左右，它能降低腐蚀液的表面张力，增加硅片与腐蚀液的浸润效果，提高腐蚀均匀性，同时具有缓冲作用，纯水占5%左右。
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各向---蚀刻使用了一系列被统称为“干”蚀刻的技术。干蚀刻可以通过物理方式去除材料，例如离子撞击伴随着材料从基板喷射或通过化学反应将基板材料转化为可以被抽走的挥发性反应产物。干蚀刻技术包括以下常用方法（无论蚀刻过程是通过化学蚀刻、物理蚀刻还是括号中所述的组合进行）：各向同性径向蚀刻（化学）、反应离子蚀刻（化学/物理）、溅射蚀刻（物理）、离子铣削（物理）、离子束辅助蚀刻（物理）、反应离子束蚀刻（化学/物理）。所有干蚀刻技术都是在真空条件下进行的，压力在一定程度上决定了蚀刻现象的性质。
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