硅孔材料刻蚀加工-陕西材料刻蚀加工-半导体光刻

mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，氮化硅材料刻蚀加工，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

其中ccp属于中密度等离子体，陕西材料刻蚀加工，icp则属于高密度等离子体。ccp技术的发明早于icp，但由于其特点的不同，硅孔材料刻蚀加工，两类技术并非相互取代，而是相互补充的关系。ccp的等离子密度虽然较低，但能量较高，适合刻蚀氧化物、氮氧化物等较硬的介质材料；icp的等离子密度高，能量低，可以独立控制离子密度和能量，有更灵活的调控手段，适合刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的材料。

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材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，mems材料刻蚀加工，以及行业应用技术开发。

各向同性自由基蚀刻

高压等离子蚀刻通常在0.2-2torr的压力下进行.

材料蚀刻中化学过程相比物理过程会更多地发生辉光放电现象

应用于等离子蚀刻的压力会导致离子产生非常低的平均自由程以防止产生离子轰击

因此，当等离子蚀刻显示出相对较好的材料选择比的同时，蚀刻的化学性质相较各向---蚀刻主要体现各向同性蚀刻

这使得等离子蚀刻在vlsi和ulsi器件制造中仅有有限的应用，使用13.56mhz rf激发等离子体的筒形蚀刻机是这一蚀刻的典型代表

筒形蚀刻机这一早期技术通常使用在光阻剥离，各向同性氮化硅移除，太阳能电池的硅蚀刻以及等离子清洗

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