光刻工艺工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
光刻刻蚀工艺是和照相、蜡纸印刷比较接近的一种多步骤的图形转以过程。开始将电路设计转化成器件和电路的各个部分的三个维度。接下来绘出x-y的尺寸、形状和表面对准的复合图。然后将复合图分割成单独掩膜层。这个电子信息被加载到图形发生器中。来自图形发生器的信息又被用来制造光刻板。或者信息可以驱动---和对准设备来直接将图形转移到晶圆上。
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随着半导体技术的进步,对各薄膜层精度的要求也越来越高,于是,需要对晶圆表面进行平坦化,消除不同材料层之间的起伏和缺陷,提高光刻的精度和。
抛光(polishing)就是用于晶圆表面薄膜层平整化的技术。抛光工艺中,主要的工艺是cmp(化学机械抛光,chemical mechanical polishing),cmp是一种利用化学腐蚀和机械摩擦的结合来实现晶圆表面平坦化的技术,研磨对象主要是浅沟槽隔离(sti),层间膜和铜互连层等。
以上就是芯片制造中的主要工艺,接触式光刻工艺工厂,以上工艺以硅基半导体为主要参考,其他工艺(如gaas、sige等化合物半导体)会略有不同,但基本思路一致。
在具体半导体工艺实现上,通过将以上关键工艺的有机整合,形成一个完整的工艺流程,就可以完成半导体工艺的开发。
总 结 芯片的制造工艺是一个复杂的过程,关键工艺也并不只有光刻,还包括晶圆加工、氧化、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等多个步骤,每个步骤都对半导体性能和功能有重要影响。
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光刻技术是一种将掩模板(mask)上的图形转移到涂有光刻胶的晶圆片上的技术。光刻技术可以将半导体表面上特定的区域去除或者保留,从而构建半导体器件。
光刻步骤主要包括:
设计电路并制作掩模板。这一步一般是通用计算机辅助设计(cad)软件完成的,在完成电路设计正确性检查(lvs)和设计规则检查(drc)后,设计图形被转移到掩模板上。掩模板一般是由透明的超纯石英玻璃基片制成,在基片上,需要透光的地方保持透明,需要遮光的地方用金属遮挡。
涂光刻胶:使晶圆对光敏感。执行这一步骤时,会在晶圆表面均匀涂抹一层对光敏感的物质,紫外光刻工艺工厂,光刻胶。光刻胶对光敏感,光照射后会产生化学变化,于是根据光照射与否,光刻胶也形成溶解和不可溶解的部分。
---。将光源发出的光线经过掩模板照射到晶圆片上时,掩模板上的图形也就被转移到了晶圆片上。根据掩模板上图形的不同,光刻胶会溶解形成对应图形。
显影与坚膜。用化学显影液溶解掉光刻胶中可溶解的区域,使可见的图形出现在晶圆片上。显---再进行高温烘培,使剩余的光刻胶变硬并提高粘附力。
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