硅孔材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，硅孔材料刻蚀版厂家，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
在rie工艺中，离子携带------衬底表面原子化学键的能量，离子的冲击降低了化学蚀刻反应所需的活化能，并提高了衬底表面中性物质的反应速率
在确定的蚀刻化学中，反应副产物会在表面形成并在化学时刻中起到抑制作用，
带能离子可以通过物理溅射将被副产物覆盖的下层材料暴露出来，以使其继续进行化学蚀刻反应
因此rie有时也被称为离子增强蚀刻或反应和离子蚀刻
离子轰击表面的高指向性产生了高度的各向---蚀刻
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刻蚀设备国产化进程
刻蚀机方面，lam research、tel、应用材料都实现了硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀的全覆盖，占据了全i球干法刻蚀机市场80%以上的份额。
在市场，介质刻蚀机是我国zui具优势的半导体设备，目前，硅孔材料刻蚀加工工厂，我国主流设备中，贵州硅孔材料刻蚀，去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的国产化率均已经达到20%以上。而这其中市场规模zui大的就是刻蚀设备。
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化学蚀刻与物理蚀刻的不同之处在于，它利用等离子体内产生的反应物质与基板材料之间的化学反应。常见的化学蚀刻类型涉及卤化物化学，其中氯或氟原子是蚀刻过程中的活性剂。蚀刻工艺的代表性化学物质是使用 nf3进行硅蚀刻。此蚀刻过程中的化学反应顺序为：
nf 3 + e - *** ? nf 2 + f ? + e -si(s) +4f ? *** sif 4 ↑
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