mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
目前干法刻蚀市场占比90%，湿法刻蚀占比10%，湿法刻蚀一般适用于尺寸较大的情况下（大于3微米）以及用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。其余，生产中大部分采用干法刻蚀。
干法刻蚀与湿法腐蚀工艺利用药液处理的原理不同，干法刻蚀在刻蚀表面材料时，既存在化学反应又存在物理反应。因此在刻蚀特性上既表现出化学的等方性，又表现出物理的异方性。所谓等方性，是指纵横两个方向上均存在刻蚀。而异方性，则指单一纵向上的刻蚀。
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刻蚀的定义与分类
如果说光刻是将图形转移到覆盖在半导体硅片表面的光刻胶上的过程。那么将图形再转移到光刻胶下面组成器件的各薄层上，硅孔材料刻蚀加工厂，我们称之为刻蚀，即选择性地刻蚀掉该薄层上未被掩蔽地部分。
刻蚀定义:用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的掩模图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受腐蚀源---的侵蚀。这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上特殊区域而选择性的刻蚀掉未被光刻胶保护的区域
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其中ccp属于中密度等离子体，氧化硅材料刻蚀加工厂，icp则属于高密度等离子体。ccp技术的发明早于icp，但由于其特点的不同，两类技术并非相互取代，而是相互补充的关系。ccp的等离子密度虽然较低，但能量较高，适合刻蚀氧化物、氮氧化物等较硬的介质材料；icp的等离子密度高，能量低，可以独立控制离子密度和能量，有更灵活的调控手段，适合刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的材料。
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