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由工作气压与沉积率的关系表可以看出:在其他参数不变的条件下,随着工气压的增大,沉积速增大后减小。在某一个佳工作气压下,有一个对应的大沉积速率。
3.5.1试验结果分析
气体分子平均自由程与压强有如下关系
其中为气体分子平均自由程,k为玻耳兹曼常数,t为气体温度,d为气体分子直径,p为气体压强。由此可知,在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下,如果工作压强增大,则气体分子平均自由程将减小,溅射原子与气体分子相互碰撞次数将增加,二次电子发射将增强。
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磁场
用来捕获二 次电子的磁场必须在整个靶面上保持一致, 而且磁场强度应当合适。磁场不均匀就会产生不均匀的膜层。磁场强度如果不适当(比如过低),氧化钛真空镀膜价钱,那么即使磁场强度一致也会导致膜层沉积速率低下,而且可能在螺栓头处发生溅射。这就会使膜层受到污染。如果磁场强度过高,可能在开始的时候沉积速率会非常高,但是由于刻蚀区的关系,这个速率会迅速下降到一个非常低的水平。同样,这个刻蚀区也会造成靶的利用率比较低。
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溅射靶材均匀性对大面积镀膜的影响
对于合金溅射靶材来说,往往存在材料分布不均的情况。如---靶材中铝团聚,锌铝靶材中铝偏析(铝的原子比锌的原子65少27。铝在浇注后冷却过程中会上浮,导致铝含量一侧高另一侧低)。由于熔点低,---靶中的团聚铝在溅射成膜时很容易掉渣,而在喷涂过程中加入的铝量是一定的。一部分铝团聚表明其他位置的铝含量较少,影响了硅靶的热导率和电导率。所以溅射速率不一致,成膜均匀性差,靶材,靶材放电加剧。它还降低了成膜。靶材成分的偏析会影响溅射速率(薄膜均匀性)和薄膜成分。因此,除了控制靶材的纯度外,合金靶材的分布也很关键。
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