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mems真空镀膜mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

3试验

3.1试验目的

熟悉真空镀膜的操作过程和方法。

了解磁控溅射镀膜的原理及方法。

学会使用磁控溅射镀膜技术。

研究不同工作气压对镀膜影响。

3.2试验设备

saj-500真空磁控溅射镀膜机(配有纯铜靶材) ;气瓶;陶瓷基片;擦镜纸。

3.3试验原理

3.3. 1磁控溅射沉积镀膜机理

磁控溅射系统是在基本的二极溅射系统发展而来，解决二极溅射镀膜速度比蒸镀慢很多、等离子体的离化率低和基片的热效应明显的问题。磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置强力磁铁，真空室充入0.1~ 10pa压力的惰性气体(ar)，作为气体放电的载体。

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由工作气压与沉积率的关系表可以看出:在其他参数不变的条件下，随着工气压的增大，沉积速增大后减小。在某一个佳工作气压下，有一个对应的大沉积速率。

3.5.1试验结果分析

气体分子平均自由程与压强有如下关系

其中为气体分子平均自由程，海南mems真空镀膜，k为玻耳兹曼常数，t为气体温度，d为气体分子直径，mems真空镀膜多少钱，p为气体压强。由此可知，在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下，如果工作压强增大，则气体分子平均自由程将减小，溅射原子与气体分子相互碰撞次数将增加，二次电子发射将增强。

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