半导体光刻-功率器件光刻加工实验室-广州功率器件光刻加工

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，功率器件光刻加工实验室，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

接触式光刻---主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。

接触式光刻---时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1μm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5μm左右。接触式光刻机的掩模版包括了要到衬底上的所有芯片阵列图形。在衬底上涂上光刻胶，并被安装到一个由手动控制的台子上，台子可以进行x、y方向及旋转的定位控制。掩模版和衬底晶片需要通过分立视场的显微镜同时观察，这样操作者用手动控制定位台子就能把掩模版图形和衬底晶片上的图形对准了。经过紫外光---，光线通过掩模版透明的部分，图形就转移到了光刻胶上。

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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

光刻版就是在苏打材料通过光刻、刻蚀等工艺在表面使用铬金属做出我们所需要的图形。

当光刻胶---后，---区域的光致酸剂（pag）将会产生一种酸。这种酸在后热烘培工序期间作为催化剂，将会移除树脂的保护基团从而使得树脂变得易于溶解。化学放大光刻胶---速递是dqn光刻胶的10倍，对深紫外光源具有---的光学敏感性，同时具有高对比度，对高分辨率等优点。按照---波长分类；光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（euv，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x射线光刻胶等。不同---波长的光刻胶，其适用的光刻---分辨率不同。

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