台湾真空镀膜技术-半导体光刻-ito镀膜真空镀膜技术

真空镀膜技术mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，生物芯片真空镀膜技术，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

微电子从40年代末的只晶体管(ge合金管)问世，50年代中期出现了硅平面工艺，此工艺不仅成为硅晶体管的基本制造工艺，也使得将多个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成为可能，随着制造工艺水平的不断成熟，使微电子从单只晶体管发展到今天的ulsi。

回顾发展历史，微电子技术的发展不外乎包括两个方面:制造工艺和电路设计，而这两个又是相互相成，互相促进，共同发展。

1.1半导体工业的诞生

·电信号处理工业始于上个世纪初的真空管，真空管使得收音机、电视机和其他电子产品成为可能。它也是_上台计算机的大脑。

·真空管的缺点是体积大、功耗大，寿命短。当时这些问题成为许多科学家寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23日得以实现。也就是只ge合金管的诞生。如图所示。

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真空镀膜技术mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，台湾真空镀膜技术，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

工艺和产品趋势

·从以开始，半导体工业就呈现出在新工艺和器件结构设计上的持续发展。工艺的改进是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有更高的密度，更多的数量和更高的---性。

·尺寸和数量是ic发展的两个共同目标。

·芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸，将此定义

为制造复杂性水平的标准。

·通常用微米来表示。一微米为1/10000厘米。

·gordon moore在1964年预言ic的密度每隔18～24个月将---，——摩尔定律。

一个尺寸相同的芯片上，所容纳的晶体管数量，因制程技术的提升，每18个月到两年晶体管数量会加倍，ic性能也提升1倍。现以1961年至2006年期间半导体技术的发展为例加以说明，金属真空镀膜技术，ic电路线宽由25微米减至65纳米，晶圆直径由1英寸增为12英寸，每一芯片_上由6个晶体管增为80亿个晶体管，dram密度增加为4g位，晶体管年销售量由1000万个增加到10的18次方至19次方个，但晶体管平均售价却大幅下降10的9次方倍。

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